容量：16 Mbit（2 MB）
　　组织结构：1M x16 或 2M x8
　　接口类型：并行异步接口
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：56-pin TSOP
　　读取访问时间：110 ns
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　支持 x8/x16 模式操作
　　块结构：包含多个可独立擦除的块（包括一个引导块和多个主数据块）
　　写入保护机制：硬件 WP# 引脚与软件锁定功能
　　待机电流：< 100 μA（典型值）
　　读取电流：< 30 mA（典型值）
　　编程/擦除电流：< 40 mA（典型值）

TE28F160B3B110 采用 Intel 的 StrataFlash 技术，实现了多层存储单元（MLC）与 NOR 架构的融合，使其在保持 NOR Flash 快速随机访问能力的同时显著提升了存储密度。这种设计特别适合需要直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）并兼顾较大程序存储空间的应用。芯片支持两种数据宽度模式——x8 和 x16，系统可根据地址/数据总线配置自动切换，提升了与不同微控制器或处理器的兼容性。其 110ns 的快速读取访问时间确保了高效的数据吞吐，满足实时系统对响应速度的要求。该器件集成了智能写入状态机（WSM），能够自动完成复杂的编程和扇区擦除流程，用户只需通过简单的命令序列即可启动操作，无需干预底层时序控制，大大简化了软件开发难度并降低了出错风险。
　　为了增强数据安全性与系统稳定性，TE28F160B3B110 提供了多重写保护机制，包括通过硬件 WP# 引脚实现物理级别的写保护，以及支持软件锁定特定存储块的功能，防止意外修改关键固件或配置信息。芯片内部集成电荷泵电路，可在标准 3.3V 电源下自动生成编程和擦除所需的高压，无需外部高压电源，简化了系统电源设计。此外，该器件具备优异的耐久性和数据保持能力，典型情况下可支持 100,000 次擦写周期，并能保证数据在断电状态下保存至少 10 年。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于严苛的工作环境，如户外通信基站、工业自动化设备和车载控制系统。
　　Intel 还为该系列器件提供了完整的命令集支持，包括读取、编程、块擦除、挂起/恢复操作、查询状态等功能，允许系统在执行长时间擦除操作期间挂起以响应高优先级任务，提高了多任务处理能力。整体而言，TE28F160B3B110 在性能、可靠性与易用性之间取得了良好平衡，是中高端嵌入式系统中理想的非易失性存储解决方案之一。

TE28F160B3B110 广泛应用于对存储容量、可靠性和实时性能有较高要求的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站设备中存储引导程序（Bootloader）、操作系统映像和配置文件，支持快速启动和现场固件升级（FOTA）。在工业控制方面，该芯片被集成于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程 I/O 模块中，用于保存控制逻辑、工艺参数和校准数据，确保在断电后仍能维持关键信息。汽车电子系统也采用此类器件，例如车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘模块和 ADAS（高级驾驶辅助系统）控制单元，用于存储固件代码和地图数据，其宽温特性和高可靠性满足汽车行业严格的环境要求。
　　在网络设备中，TE28F160B3B110 支持 XIP 模式运行，使得处理器可以直接从闪存中执行代码，节省了 RAM 空间并加快了启动速度，特别适用于资源受限但需快速响应的场景。此外，在医疗设备如便携式监护仪和诊断仪器中，该芯片用于存储设备固件和默认设置，保障设备在各种环境下稳定运行。测试与测量仪器、POS 终端、安防监控设备等也需要可靠的非易失性存储来记录日志、保存配置或加载应用程序，TE28F160B3B110 凭借其成熟的工艺和长期供货历史，成为许多设计工程师的首选方案。尽管目前该型号已逐渐被更新的技术替代，但在现有产品维护和工业存量市场中仍具有重要地位。

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