时间：2025/6/19 18:38:10
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SQCB2M471JAJME 是一款由 Vishay 生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道技术，专为高电压和高效率应用场景设计。其封装形式为 DPAK (TO-252)，具有出色的开关特性和低导通电阻，适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和电机驱动。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：470mΩ
栅极电荷：35nC
总功耗：2.4W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SQCB2M471JAJME 的主要特性包括高耐压能力、低导通电阻以及快速开关性能。
1. 高耐压能力：支持高达 650V 的漏源电压，使其非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在典型条件下导通电阻仅为 470mΩ，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关：较小的栅极电荷确保了更快的开关速度，从而降低开关损耗。
4. 封装优势：采用 DPAK 封装，提供良好的散热性能和易于安装的特点。
5. 稳定性：能够在极端温度范围内保持稳定运行，适合恶劣的工作环境。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率转换和控制场景中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. LED 驱动电路
4. 电机驱动和控制
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备中的负载切换
SQJ288EP, IRF840, FQP17N65
