AM27C010200DI 时间：2025/12/28 3:28:31 阅读：11

AM27C010-200DI是一款由AMD（Advanced Micro Devices）生产的5V紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM），容量为1兆位（1Mbit），组织形式为128K x 8位。该芯片属于AM27C系列，专为需要高可靠性和稳定性的工业、通信和嵌入式系统设计。AM27C010采用标准的JEDEC EPROM封装，支持通过紫外线照射进行批量擦除，并可在编程器上重新写入数据。其访问时间为200纳秒，适用于中等速度要求的应用场景。该器件在未选通或待机状态下具备低功耗特性，支持CMOS和TTL电平兼容，便于与多种微处理器和控制器接口连接。AM27C010-200DI中的后缀'DI'通常表示该器件采用双列直插式陶瓷封装（CERDIP），并带有窗口，以便于紫外线擦除操作。这款EPROM广泛应用于老旧工业控制系统、通信设备固件存储、测试仪器以及需要长期保存程序代码且不频繁更新的场合。由于其非易失性特性，即使断电后也能长期保存数据，但需注意防止意外光照导致数据丢失。此外，该芯片已被现代闪存技术逐步取代，但在某些维护现有设备或特殊应用场景中仍具使用价值。

参数

型号：AM27C010-200DI
　　制造商：AMD
　　存储容量：1 Mbit (128K x 8)
　　电源电压：5V ± 10%
　　访问时间：200 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：28-pin CERDIP (Ceramic Dual In-line Package)
　　编程电压：Vpp = 12.5V 或 21V（取决于编程模式）
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：驱动一个TTL负载
　　待机电流：最大 100 μA
　　工作电流：最大 75 mA

特性

AM27C010-200DI具备出色的电气稳定性与抗干扰能力，适用于对可靠性要求较高的工业环境。
　　该芯片采用浮栅晶体管技术实现非易失性数据存储，能够在无电源供应的情况下长期保持所编程的信息，典型数据保持时间超过10年。
　　其200ns的访问时间使其能够与多种8位和16位微处理器（如8086、8031、68000等）直接接口，无需插入等待状态，在中等速度系统中表现出良好的性能匹配性。
　　器件支持两种编程模式：标准12.5V Vpp编程和高压21V Vpp编程，增强了与不同编程器设备的兼容性。
　　在待机模式下，通过将片选信号CE#置为高电平，芯片进入低功耗状态，此时工作电流可降至100μA以下，有效降低系统整体功耗。
　　输出使能OE#控制允许器件与其他三态总线系统共享数据总线，提升系统集成度。
　　AM27C010-200DI具有高抗辐射能力和良好的热稳定性，适合在复杂电磁环境中稳定运行。
　　陶瓷封装不仅提供了优良的散热性能，还具备更高的机械强度和密封性，防止湿气侵入，从而提高器件在恶劣环境下的使用寿命。
　　该EPROM可通过透明石英窗口暴露于紫外线光源（波长约253.7nm，能量不低于15W-sec/cm2）下进行批量擦除，通常需要15至30分钟的照射时间即可完成擦除过程，之后可重新编程。
　　芯片内部集成了编程算法控制逻辑，确保每个存储单元被正确写入，并具备一定的错误容忍机制，减少编程失败的风险。

应用

AM27C010-200DI主要用于需要固化程序代码且更新频率较低的嵌入式系统中。
　　典型应用包括工业自动化控制设备中的固件存储，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和继电器控制系统。
　　在通信领域，它常用于早期的调制解调器、路由器、交换机等设备中存放启动代码或配置信息。
　　该器件也广泛应用于测试与测量仪器，如示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪，用于存储自检程序和用户界面代码。
　　在军事和航空航天领域的部分老旧系统中，由于其高可靠性和抗干扰能力，仍保留使用此类EPROM作为关键程序存储介质。
　　教育和科研机构在微机原理、单片机实验平台中也常采用该芯片进行教学演示和学生实践训练。
　　此外，一些消费类电子产品（如老式打印机、传真机）在其主控板上也曾大量使用AM27C010系列芯片。
　　尽管目前已被更先进的Flash存储器取代，但在设备维修、备件替换和系统升级过程中，AM27C010-200DI仍是不可或缺的关键元器件之一。