型号：AM27128DCB
　　制造商：AMD
　　存储类型：UV-EPROM
　　存储容量：128Kbit (16K × 8)
　　工作电压：5V ±10%
　　访问时间：150ns / 200ns（根据版本）
　　封装类型：28-pin DIP（Ceramic DIP with window）
　　编程电压：+12.5V 或 +21V（根据具体规格）
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级，视版本而定）
　　接口类型：并行接口
　　组织结构：16,384 × 8 bits
　　擦除方式：紫外线照射（典型曝光时间为15–20分钟，波长253.7nm）
　　待机电流：典型值< 100μA
　　工作电流：典型值< 40mA
　　输入逻辑电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：可驱动标准TTL负载

AM27128DCB的一个显著特性是其基于CMOS工艺的低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适合用于对功耗敏感的应用场景。这使得它不仅能在持续运行的系统中减少热量产生，还能延长电池供电设备的使用寿命。同时，其高速访问时间（如150ns或200ns版本）确保了在微处理器系统中能够提供足够的数据吞吐能力，避免因存储延迟导致的性能瓶颈。CMOS技术还带来了更高的噪声抗扰度和更强的抗干扰能力，提升了系统整体的稳定性。
　　该芯片采用陶瓷DIP封装并配备透明石英窗口，这是传统UV-EPROM的标志性特征。这个窗口允许紫外线穿透硅片表面以清除浮栅晶体管中的电荷，从而完成芯片内容的批量擦除。这一机制虽然不如现代EEPROM或Flash那样便捷（后者支持电擦除），但在开发阶段非常实用，尤其是在没有在线编程能力的早期系统中。用户只需将芯片从电路板上取下，放入专用的EPROM擦除器中照射即可重新编程。
　　AM27128DCB具备出色的耐久性和数据保持能力，典型的数据保存时间可达10年以上，前提是芯片未受到强烈紫外线或其他环境因素的影响。此外，其编程过程需要较高的编程电压（通常为+12.5V或+21V），由编程器提供，写入操作按字节进行，支持逐字节编程。为了防止误写入或意外擦除，系统设计时通常会加入物理遮挡措施（如贴纸覆盖窗口）来保护已烧录的程序。
　　该器件完全兼容TTL电平，可以直接连接到常见的微处理器总线架构（如Intel 8086、Zilog Z80等），无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。其引脚布局遵循标准EPROM规范，方便替换同类产品或进行PCB布线设计。尽管目前已被更先进的非易失性存储器取代，但其稳定性和可靠性使其在某些特定领域仍具不可替代的价值。

AM27128DCB主要用于需要长期保存程序代码且不频繁更新的嵌入式系统中。一个典型的应用场景是在早期的工业控制系统中作为固件存储器，例如PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和自动化仪表等设备中，用来存放启动引导程序、控制算法和固定参数表。由于这些系统通常运行在稳定的环境中，并且一旦部署后程序很少更改，因此使用UV-EPROM是一种经济可靠的解决方案。
　　在通信设备领域，该芯片曾被广泛用于调制解调器、路由器原型、电话交换机和网络接口卡中，用于存储初始化代码和协议处理程序。由于其快速访问能力和TTL兼容性，能够很好地配合当时的通信处理器完成实时任务调度。
　　在教育和科研方面，AM27128DCB常用于微机原理、单片机和数字电路教学实验平台中，帮助学生理解存储器的工作机制、总线时序以及程序烧录流程。通过手动烧写和擦除操作，学习者可以获得关于非易失性存储器底层操作的直观体验。
　　此外，在复古计算爱好者社区中，AM27128DCB被用于修复或重建经典计算机系统（如Apple II、IBM PC/XT兼容机、Commodore等），替换老化失效的原始EPROM芯片。这类应用不仅要求功能等效，还需要物理封装和时序特性完全匹配，而AM27128DCB恰好满足这些需求。
　　在军事和航空航天领域的部分遗留系统中，由于认证周期长、更换成本高，一些设备至今仍在使用类似AM27128DCB的器件进行维护和备件替换。这类应用强调元器件的长期供货保障和批次一致性，而AM27128DCB因其历史悠久、规格成熟而成为优选之一。

M27128A
　　MBM27128
　　27C128
　　SST39SF010A