型号：AM25LS190DM
　　制造商：AMD
　　封装类型：24-DIP 或 24-SOIC
　　电源电压：5V ±10%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出引脚数：16个可编程I/O
　　逻辑宏单元数量：10个
　　可编程互连资源：基于通用阵列架构
　　最大工作频率：约120MHz（典型值）
　　编程电压：12.5V（用于烧录）
　　存取时间：约10ns（典型）
　　功耗：低静态功耗，动态功耗随频率变化
　　编程次数：至少100次擦写循环
　　数据保持时间：超过20年

AM25LS190DM的核心特性在于其采用E^2CMOS工艺实现的非易失性可编程逻辑结构，这使得它既具备CMOS器件的低功耗优势，又拥有电可擦写能力，无需像传统熔丝型PAL那样一次性编程。其内部结构基于标准GAL架构，包含一个可编程的“与”阵列和固定的“或”阵列，配合可配置的输出逻辑宏单元（OLMC），每个OLMC均可独立设置为组合输出或寄存器输出模式，从而在同一芯片内实现复杂的组合与时序逻辑混合设计。
　　该器件支持全静态操作，确保在任何时钟状态下都能稳定运行，并且具有三态输出控制功能，便于总线接口应用。通过专用编程器和符合JEDEC标准的编程文件格式（如JED文件），用户可以方便地对芯片进行多次编程、擦除和验证，极大提升了开发调试效率。此外，AM25LS190DM集成了上电清零（Power-On Reset）电路，保证每次上电后逻辑状态处于可控初始状态，避免不确定行为。
　　为了提高抗干扰能力和驱动性能，该芯片的输出端具备较强的驱动电流能力（通常可达+/-15mA），并内置了噪声抑制滤波机制，在工业环境中有良好的稳定性表现。其高集成度允许替代多个标准逻辑IC（如74系列门电路），显著减少PCB面积和系统复杂度。同时，AM25LS190DM兼容TTL电平输入，易于与现有数字系统对接，降低了系统集成难度。由于采用了先进的制造工艺，该器件还表现出较低的电磁辐射和良好的ESD保护性能（典型HBM模型超过2kV），适用于对可靠性要求较高的应用场景。

AM25LS190DM常用于各类需要定制化逻辑控制的电子系统中。在通信领域，它被用来实现协议转换、信号选通和帧同步控制等功能；在工业自动化控制系统中，可用于构建状态机、定时控制模块以及I/O扩展逻辑。该器件也广泛应用于老旧计算机系统的维护与升级，例如作为地址译码器、片选逻辑生成器或中断控制器的一部分，帮助修复因原厂芯片停产而导致的备件短缺问题。
　　在测试测量设备中，AM25LS190DM可用于实现触发逻辑、多路复用控制和接口适配功能。由于其可重编程特性，非常适合原型验证阶段使用，工程师可以在不更换硬件的前提下快速迭代逻辑设计方案。此外，该芯片也被用于嵌入式系统的外围逻辑管理，比如LCD驱动接口逻辑、键盘扫描控制器或串行通信接口的状态机实现。
　　教育和科研机构也将此类GAL器件作为教学工具，帮助学生理解可编程逻辑的基本原理和硬件描述语言（虽本身不支持HDL直接烧录，但可通过逻辑综合工具生成编程文件）。即使在当前FPGA普及的时代，AM25LS190DM仍因其简单易用、成本低廉和高度可靠的特性，在中小规模逻辑整合项目中占有一席之地，特别是在对成本敏感且不需要复杂逻辑资源的应用中表现出色。

ATF25LS190
　　CY25LS190
　　Lattice GAL22V10