时间：2025/4/28 19:28:16
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YFW5N65AF是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率电子电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够在高频应用中提供优异的性能。
最大漏源电压：650V
最大漏极电流：5A
导通电阻：1.2Ω
栅极阈值电压：2V~4V
输入电容：700pF
总功耗：38W
工作温度范围：-55℃~150℃
YFW5N65AF具备高耐压能力，适合在高压环境中使用。其低导通电阻设计有助于减少功率损耗，提高整体效率。
此外，该器件的快速开关特性使其非常适合高频应用场合。其封装形式通常为TO-220，易于安装且散热性能良好。
MOSFET的栅极驱动要求较低，能够与各种驱动电路兼容。同时，它还具有良好的热稳定性和可靠性，确保长时间运行下的性能表现。
YFW5N65AF主要应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器以及各类工业控制设备中。
在消费类电子产品领域，它可被用于笔记本适配器、LED驱动电源等场景。
由于其高耐压特性，在电动汽车充电桩、太阳能逆变器等新能源相关产品中也有广泛应用。
IRF540N
STP5NK60Z
FQP18N65C
IXFN50N65B
