MHW1915 是一款由 Mitsubishi(三菱)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高功率密度的电子设备中。该器件以其优良的导通特性和较低的开关损耗而著称,适用于各种电源转换器、DC-DC 转换器以及马达控制电路。MHW1915 采用 TO-220 封装形式,便于散热和安装,适用于需要高效功率控制的应用场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流(ID):15 A
漏极-源极击穿电压(VDS):200 V
栅极-源极电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):0.18 Ω(最大)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
功耗(PD):50 W
MHW1915 MOSFET 的特性包括高耐压能力和强大的电流处理能力,使其非常适合用于高功率应用。其导通电阻较低,有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件具有快速开关特性,有助于减少开关过程中的能量损耗,提高开关频率的应用性能。MHW1915 还具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作。TO-220 封装提供了良好的散热性能,便于安装在散热片上以进一步提高热管理能力。
在可靠性方面,MHW1915 具有较高的抗静电能力,并且在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。该器件的设计使其能够承受较高的瞬态电压和电流应力,适用于工业环境中的严苛条件。此外,MHW1915 的制造工艺确保了其高度的一致性和长期工作的稳定性,降低了器件失效的风险。
MHW1915 MOSFET 常用于电源管理和功率转换系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、马达驱动器和负载开关等应用。由于其高耐压和大电流能力,MHW1915 特别适合用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备、电动工具、电源适配器以及 LED 照明驱动系统。此外,该器件也可用于电池管理系统和充电器电路中,提供稳定的功率控制功能。
IRF540N, FQP15N20