MHW1915 时间：2025/9/3 13:35:31 阅读：28

MHW1915 是一款由 Mitsubishi（三菱）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高功率密度的电子设备中。该器件以其优良的导通特性和较低的开关损耗而著称，适用于各种电源转换器、DC-DC 转换器以及马达控制电路。MHW1915 采用 TO-220 封装形式，便于散热和安装，适用于需要高效功率控制的应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏极电流（ID）：15 A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：200 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.18 Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　功耗（PD）：50 W

特性

MHW1915 MOSFET 的特性包括高耐压能力和强大的电流处理能力，使其非常适合用于高功率应用。其导通电阻较低，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率的应用性能。MHW1915 还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。TO-220 封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上以进一步提高热管理能力。
　　在可靠性方面，MHW1915 具有较高的抗静电能力，并且在极端温度条件下仍能保持稳定的电气性能。该器件的设计使其能够承受较高的瞬态电压和电流应力，适用于工业环境中的严苛条件。此外，MHW1915 的制造工艺确保了其高度的一致性和长期工作的稳定性，降低了器件失效的风险。

应用

MHW1915 MOSFET 常用于电源管理和功率转换系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、马达驱动器和负载开关等应用。由于其高耐压和大电流能力，MHW1915 特别适合用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备、电动工具、电源适配器以及 LED 照明驱动系统。此外，该器件也可用于电池管理系统和充电器电路中，提供稳定的功率控制功能。