ALP018TT/C1 时间：2025/8/18 5:09:26 阅读：6

ALP018TT/C1 是一款由 Diodes 公司生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的射频晶体管。该晶体管专为高频应用而设计，适用于射频功率放大、混频、调制解调等多种射频电子电路。该晶体管采用 SOT-23 封装，具备小型化、轻便化的特点，适合用于便携式设备和高密度 PCB 布局。

参数

晶体类型：NPN
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压(Vceo)：30V
　　最大集电极电流(Ic)：100mA
　　最大功率耗散(Pd)：300mW
　　最大频率(fT)：8GHz
　　增益带宽积：8GHz
　　直流电流增益(hFE)：在2mA集电极电流时典型值为80
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

ALP018TT/C1 的主要特性包括高频性能优异、噪声系数低、线性度好以及良好的热稳定性。其8GHz的过渡频率(fT)使其非常适合用于高频放大器和射频前端模块。此外，该晶体管在低电压下也能保持良好的性能，适合电池供电设备的应用。晶体管的SOT-23封装具有良好的机械强度和热稳定性，确保在各种环境条件下都能稳定工作。
　　ALP018TT/C1 的 hFE 参数在不同工作条件下保持稳定，提高了电路设计的灵活性和可靠性。此外，该晶体管的低噪声特性使其在无线通信系统中表现出色，尤其是在低噪声放大器（LNA）的设计中，能够有效提高接收机的灵敏度。
　　另一个显著特点是该晶体管的高可靠性。ALP018TT/C1 经过严格的质量控制测试，符合工业级标准，能够在高温和高湿度环境下长期稳定运行，适用于工业控制、通信基础设施和消费类电子产品。