时间：2025/6/25 22:27:31
阅读：7
RF18N100G251CT 是一款N沟道增强型MOSFET，专为高频和高功率应用设计。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于射频功率放大器、开关电源以及其他需要高性能的电子电路。
其制造工艺采用了先进的半导体技术，确保了在高频工作条件下的高效性能表现。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：18A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：45nC
总电容（输入、输出、反向传输）：980pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
RF18N100G251CT 的主要特点是具备非常低的导通电阻，在大电流条件下可以减少功耗并提升效率。同时，该器件的高击穿电压使其能够承受更高的电压波动，增加了系统的可靠性。
此外，该MOSFET具有较小的栅极电荷和快速的开关速度，非常适合高频应用场合，例如射频功率放大器和DC-DC转换器等。其宽泛的工作温度范围也使得它能够在极端环境下保持稳定运行。
RF18N100G251CT 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 射频功率放大器，用于通信设备如基站和无线网络中。
2. 开关电源中的功率级开关元件。
3. 电机驱动和逆变器应用，尤其是在需要高效能和高可靠性的场景下。
4. 各类工业控制和自动化设备中的功率管理模块。
这些应用都得益于其高效的功率转换能力和稳定的性能表现。
RF18N100G251FT, RF18N100G252CT
