时间：2025/8/6 10:07:00
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IXFN26N120P是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流的N沟道MOSFET功率晶体管，主要用于高功率和高频率的应用场合。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）特性，适合用于开关电源、逆变器、电机控制和工业自动化设备等应用。IXFN26N120P采用TO-264封装，具备良好的热管理和高可靠性，适合在恶劣环境下工作。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：1200V
最大漏极电流（ID）：26A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大0.45Ω（典型值0.38Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-264
功率耗散（PD）：300W
IXFN26N120P具有多项优秀的电气和热性能特点。首先，其1200V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，例如工业电源和电机驱动器。其次，26A的最大漏极电流额定值允许其在高功率系统中使用，而低导通电阻（RDS(on)）则有助于降低导通损耗，提高整体效率。
该器件的TO-264封装不仅提供了良好的散热性能，还能承受较高的机械应力，适用于工业环境。此外，IXFN26N120P具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压条件下提供更高的稳定性和可靠性。
在开关性能方面，IXFN26N120P具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和逆变器。此外，±20V的栅源电压额定值使其能够与多种驱动电路兼容，增强了设计的灵活性。
IXFN26N120P广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制和工业自动化设备。由于其高电压额定值和低导通电阻，该器件也常用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统中的功率转换模块。
在电力电子系统中，IXFN26N120P可用于构建高效的DC-AC逆变器和AC-DC整流器。其高可靠性和热稳定性使其成为工业控制和电源管理系统中的理想选择。此外，该MOSFET也适用于需要高频率开关的功率转换器，如谐振变换器和零电压开关（ZVS）拓扑结构。
IXFN26N120T, IXFH26N120R2, IRGP50B120KD-S
