时间：2025/5/24 19:09:50
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FN15N391J500PNG是一款高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率开关应用设计。该型号具有较低的导通电阻和快速开关速度，适用于多种电力电子设备，例如开关电源、电机驱动器和逆变器等。其封装形式为PQFN，有助于提高散热性能并减少寄生电感影响。
该器件采用了先进的制造工艺，在保证高效能的同时也具备良好的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：65nC
总电容（输入电容）：2200pF
最大功耗：180W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：PQFN
FN15N391J500PNG的主要特点是其超低的导通电阻，仅为1.5mΩ，这使得它在大电流应用场景中表现出色，并且能够显著降低传导损耗。同时，该器件具备较高的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，从而提高了整体效率。
此外，其采用的PQFN封装提供了出色的热性能和电气性能，有助于简化电路设计并提升系统可靠性。
该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了其在恶劣环境下的适用性。并且由于其工作结温范围较宽，能够在极端温度条件下正常运行。
这款MOSFET适用于多种工业和消费类电子产品，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或主开关元件。
2. 电动工具及家用电器内的电机驱动控制。
3. 电动汽车充电装置与逆变器模块。
4. 高效DC-DC转换器的核心组件。
5. 大功率LED照明驱动电路。
6. 各种保护电路如过流保护、负载切换等。
IRFZ44N, FDP15N40L, BUK7Y0R8-40E
