型号：AL02JT17N
　　类型：NPN BJT
　　封装：SOT-23
　　制造商：Diodes Incorporated
　　集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO：50V
　　发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO：6V
　　集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO：60V
　　最大集电极电流 IC：100mA
　　峰值集电极电流 ICM：200mA
　　最大功耗 PD：300mW
　　直流电流增益 hFE：100 ~ 400 @ IC = 10mA, VCE = 5V
　　特征频率 fT：200MHz
　　工作结温范围 TJ：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C ~ +150°C

AL02JT17N具有出色的直流电流增益（hFE）性能，在典型工作条件下（IC = 10mA，VCE = 5V），其hFE值范围为100至400，表现出良好的一致性与稳定性，有助于减少外围偏置元件的调整需求，提高电路设计的可重复性。这一宽范围的增益使其能够适应多种放大与开关应用场景，尤其是在需要精确控制导通状态的逻辑驱动或传感器接口电路中表现优异。
　　该器件具备高达200MHz的特征频率（fT），表明其在高频信号处理方面具有较强的响应能力，适合用于射频前端、振荡器、缓冲级等需要快速开关响应的模拟电路中。即使在较高的频率下，AL02JT17N仍能保持足够的增益带宽积，确保信号不失真地传递。同时，其较低的寄生电容（如Cob ≈ 4pF）进一步增强了高频性能，减少了对相邻电路的干扰。
　　热稳定性方面，AL02JT17N的最大功耗为300mW，结合SOT-23封装良好的散热设计，能够在有限的空间内有效散发热量，避免因局部过热导致器件失效。其工作结温范围从-55°C到+150°C，覆盖了绝大多数工业与消费级应用环境，具备较强的环境适应能力。
　　此外，该晶体管采用了无铅（Lead-Free）和无卤素材料体系，符合RoHS指令及IEC 61249-2-21标准要求，支持环保生产工艺。卷带包装形式（Tape and Reel）便于自动化贴片生产，提升SMT产线效率。整体来看，AL02JT17N是一款兼顾性能、可靠性与制造兼容性的通用型小信号晶体管。

AL02JT17N广泛应用于各类低功耗电子系统中，作为开关元件用于数字逻辑电路的电平转换、LED驱动控制、继电器或蜂鸣器的启停控制等场景。例如，在微控制器输出驱动能力不足时，可通过AL02JT17N实现电流放大，从而驱动更高负载。其快速开关响应特性也使其适用于脉冲宽度调制（PWM）信号的功率控制回路。
　　在模拟信号处理领域，该晶体管可用于构建前置放大器、音频缓冲级、比较器输入级等结构，尤其适合小信号放大任务。由于其较高的fT值和较低的噪声水平，在射频识别（RFID）、无线传感节点、蓝牙模块等通信子系统中也可作为高频放大或混频电路的一部分。
　　此外，AL02JT17N还常见于电源管理系统中，如LDO稳压器的使能控制、电池充放电状态指示电路、电压检测反馈回路等。其SOT-23封装体积小巧，非常适合智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对空间高度敏感的产品设计。
　　在工业控制与家用电器中，它被用于传感器信号调理、光电耦合器驱动、按键去抖电路等场合。凭借宽泛的工作温度范围和可靠的电气性能，AL02JT17N能满足多种恶劣环境下的长期运行需求。无论是批量生产的消费类产品还是小批量定制化设备，该器件都展现出良好的通用性和性价比优势。

MMBT3904, BC847B, 2N3904, FMMT211