CSD95484RWX 是一款由德州仪器 (TI) 提供的 NexFET 功率 MOSFET,采用 PowerStack 封装技术。该器件专为高效率、高功率密度应用设计,广泛用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和其他开关电源应用中。
类型:N沟道 MOSFET
封装:PowerStack (DSG)
Vds(漏源电压):20V
Rds(on)(导通电阻,典型值):3.1mΩ(Vgs=10V)
Qg(总栅极电荷):46nC
连续漏极电流 (Id):127A
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
CSD95484RWX 的主要特性包括:
1. 高效的 NexFET 技术,提供更低的 Rds(on),以减少传导损耗。
2. 内部集成了两个 MOSFET,简化电路设计并节省 PCB 空间。
3. PowerStack 封装优化散热性能,并支持更高的功率密度。
4. 出色的开关性能,适用于高频应用。
5. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接和装配。
CSD95484RWX 常用于以下应用场景:
1. 服务器和通信设备中的多相 DC-DC 转换器。
2. 高效同步降压转换器。
3. 工业级电机驱动和负载控制。
4. 汽车电子系统中的大电流开关。
5. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理模块。
6. 高功率密度的嵌入式电源解决方案。
CSD95484KCS, CSD95484Q5A