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CSD95484RWX 发布时间 时间:2025/5/9 14:28:46 查看 阅读:24

CSD95484RWX 是一款由德州仪器 (TI) 提供的 NexFET 功率 MOSFET,采用 PowerStack 封装技术。该器件专为高效率、高功率密度应用设计,广泛用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和其他开关电源应用中。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:PowerStack (DSG)
  Vds(漏源电压):20V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):3.1mΩ(Vgs=10V)
  Qg(总栅极电荷):46nC
  连续漏极电流 (Id):127A
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

CSD95484RWX 的主要特性包括:
  1. 高效的 NexFET 技术,提供更低的 Rds(on),以减少传导损耗。
  2. 内部集成了两个 MOSFET,简化电路设计并节省 PCB 空间。
  3. PowerStack 封装优化散热性能,并支持更高的功率密度。
  4. 出色的开关性能,适用于高频应用。
  5. 宽工作温度范围,确保在恶劣环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接和装配。

应用

CSD95484RWX 常用于以下应用场景:
  1. 服务器和通信设备中的多相 DC-DC 转换器。
  2. 高效同步降压转换器。
  3. 工业级电机驱动和负载控制。
  4. 汽车电子系统中的大电流开关。
  5. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理模块。
  6. 高功率密度的嵌入式电源解决方案。

替代型号

CSD95484KCS, CSD95484Q5A

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CSD95484RWX参数

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