CSD95484RWX 时间：2025/5/9 14:28:46 阅读：41

CSD95484RWX 是一款由德州仪器 (TI) 提供的 NexFET 功率 MOSFET，采用 PowerStack 封装技术。该器件专为高效率、高功率密度应用设计，广泛用于 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和其他开关电源应用中。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　封装：PowerStack (DSG)
　　Vds（漏源电压）：20V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.1mΩ（Vgs=10V）
　　Qg（总栅极电荷）：46nC
　　连续漏极电流 (Id)：127A
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

CSD95484RWX 的主要特性包括：
　　1. 高效的 NexFET 技术，提供更低的 Rds(on)，以减少传导损耗。
　　2. 内部集成了两个 MOSFET，简化电路设计并节省 PCB 空间。
　　3. PowerStack 封装优化散热性能，并支持更高的功率密度。
　　4. 出色的开关性能，适用于高频应用。
　　5. 宽工作温度范围，确保在恶劣环境下稳定运行。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接和装配。

应用

CSD95484RWX 常用于以下应用场景：
　　1. 服务器和通信设备中的多相 DC-DC 转换器。
　　2. 高效同步降压转换器。
　　3. 工业级电机驱动和负载控制。
　　4. 汽车电子系统中的大电流开关。
　　5. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理模块。
　　6. 高功率密度的嵌入式电源解决方案。