AL02CT3N2 时间：2025/12/26 1:21:41 阅读：13

AL02CT3N2是一款由台湾茂硅（MOSAIC）公司生产的光耦合器（Optocoupler），广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件内部集成了一个发光二极管（LED）和一个光电晶体管，通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，从而有效防止噪声干扰、电压浪涌以及接地环路等问题，提高系统的安全性和稳定性。AL02CT3N2采用DIP-4（双列直插式4引脚）封装形式，具有良好的绝缘性能和较高的隔离电压能力，适用于工业控制、电源管理、通信接口等多种应用场景。
　　该光耦合器的工作原理是：当输入端的LED通电发光时，光线照射到内部的光电晶体管上，使其导通或截止，从而在输出端产生相应的电信号变化。这种基于光传输信号的方式实现了输入与输出回路之间的完全电气隔离。AL02CT3N2的设计注重可靠性与兼容性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合用于开关电源反馈回路、微控制器I/O隔离、PLC模块、继电器驱动电路等场合。此外，其封装符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可制造性的要求。

参数

类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VCEO）：35 V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.3 V（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600%
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装类型：DIP-4
　　响应时间：3 μs（上升），2 μs（下降）

特性

AL02CT3N2光耦合器具备优异的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000 VRMS，能够有效阻隔高电压冲击和共模瞬变干扰，保障低压控制电路的安全运行。该器件的电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%至600%之间，确保了在不同工作条件下仍能保持稳定的信号传递能力，适应多种驱动需求。高CTR意味着即使输入电流较小，也能在输出端获得足够的驱动电流，有助于降低功耗并提升系统效率。
　　该光耦采用高亮度红外LED与高灵敏度硅光电晶体管组合设计，响应速度快，典型开关时间为微秒级（上升3μs，下降2μs），适用于中速数字信号隔离传输场景。其工作温度范围宽达-55°C至+110°C，可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业自动化设备、户外电源系统等严苛应用环境。DIP-4封装结构紧凑，引脚间距符合标准PCB布局规范，便于手工焊接与自动化贴装，兼容波峰焊和回流焊工艺。
　　AL02CT3N2还具备良好的线性度和温度稳定性，在模拟信号隔离应用中也能表现出色。器件内部填充高性能绝缘材料，增强抗湿、抗污染能力，延长使用寿命。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉、汞等有害物质，支持绿色环保生产流程。此外，该型号通过多项国际安全认证，包括UL、CSA、VDE等，确保在全球范围内的合规使用。

应用

广泛应用于开关电源中的反馈控制回路，实现初级侧与次级侧之间的隔离信号传输；用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业I/O模块、电机驱动器中的数字信号隔离；在微处理器系统中作为通信接口隔离元件，如RS-232、RS-485隔离电路；适用于家电控制板、智能电表、充电器、逆变器等需要电气隔离的电子设备；也可用于医疗设备、测试仪器等对安全性要求较高的领域。