时间：2025/7/10 17:14:48
阅读：11
1206N820G501CT 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用表面贴装的 1206 封装形式。该器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点，广泛应用于高频功率转换电路中。其出色的性能使其成为传统硅基 MOSFET 的理想替代品。
这款 GaN 器件通过优化设计以减少寄生电感和电容，适合于高频 DC-DC 转换器、电源适配器以及其他需要高效能和小型化的应用场景。
额定电压：820V
最大漏极电流：4A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：20nC
反向恢复时间：无（由于是 GaN 技术）
封装类型：1206 表面贴装
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1206N820G501CT 拥有以下关键特性：
- 高耐压能力，额定电压达到 820V，适用于高压环境。
- 极低的导通电阻 (Rds(on))，可降低导通损耗并提高系统效率。
- 快速开关性能，能够显著减少开关损耗，提升功率密度。
- 不含反向恢复电荷，简化了电路设计并减少了振荡风险。
- 热性能优异，支持在较宽的工作温度范围内可靠运行。
- 具备高可靠性，适合长期使用在严苛条件下。
1206N820G501CT 主要应用于以下领域：
- 高频 DC-DC 转换器
- 开关电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器中的功率模块
- 电动车辆及混合动力汽车中的电机驱动控制器
- 工业设备中的高效能功率转换系统
- 快速充电器与便携式设备的电源适配器
1206N820G401CT
1206N820G301CT
