AH281Z-P是一款高性能的霍尔效应传感器芯片,广泛应用于各种需要检测磁场变化的场景。该芯片基于先进的CMOS工艺制造,具有高灵敏度、低功耗和出色的温度稳定性。它能够提供数字输出信号,并支持多种工作电压范围,非常适合工业控制、消费电子以及汽车电子等领域。
供电电压:2.5V~5.5V
工作温度范围:-40℃~125℃
响应时间:10μs
输出类型:推挽式数字输出
灵敏度:5mT
封装形式:SOT-23
采用了霍尔效应原理进行磁场检测,具备极高的灵敏度和稳定性。其内置的误差校正电路可以有效减少因温度变化导致的测量偏差。
芯片内部集成了信号放大器、施密特触发器和输出驱动器等功能模块,从而简化了外部电路设计。此外,AH281Z-P还具有较低的工作电流,典型值仅为几微安,这使其非常适合电池供电设备的应用。
在使用过程中,该芯片可以通过调整输入磁场强度来实现开关功能,适用于位置检测、转速测量等多种场景。
1. 消费电子产品中的开关和按键替代方案;
2. 工业自动化设备的位置检测与速度监控;
3. 汽车电子系统中的齿轮转动监测及防抱死制动系统(ABS);
4. 家用电器中的无触点控制,例如冰箱门开关状态检测;
5. 其他需要非接触式磁感应的场合。
AH281Z-N, AH281Z-S