时间：2025/7/15 18:19:29
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MPVZ12G是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件设计用于高效能、高可靠性的工作环境。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：1.8A（在25°C时）
功耗（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55°C至150°C
MPVZ12G具有低导通电阻和高耐压能力，使其非常适合用于高频开关应用。其封装形式为SOT-223，这种小型封装使得它在空间受限的设计中非常有用。
此外，MPVZ12G具备良好的热稳定性，并且能够在高温环境下保持稳定的性能。它的栅极驱动要求较低，这有助于减少驱动电路的复杂性和成本。
该器件还具有较高的耐用性，能够承受一定程度的过载和瞬态条件，从而提高了整体系统的可靠性和寿命。
MPVZ12G常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的电源管理部分。由于其高效的能量转换能力和紧凑的尺寸，这款MOSFET也适合于便携式电子产品和汽车电子系统中。
Si2302DS, FDN306P
