MPVZ12G是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。该器件设计用于高效能、高可靠性的工作环境。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):100V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):1.8A(在25°C时)
功耗(Pd):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
MPVZ12G具有低导通电阻和高耐压能力,使其非常适合用于高频开关应用。其封装形式为SOT-223,这种小型封装使得它在空间受限的设计中非常有用。
此外,MPVZ12G具备良好的热稳定性,并且能够在高温环境下保持稳定的性能。它的栅极驱动要求较低,这有助于减少驱动电路的复杂性和成本。
该器件还具有较高的耐用性,能够承受一定程度的过载和瞬态条件,从而提高了整体系统的可靠性和寿命。
MPVZ12G常用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备中的电源管理部分。由于其高效的能量转换能力和紧凑的尺寸,这款MOSFET也适合于便携式电子产品和汽车电子系统中。
Si2302DS, FDN306P