时间：2025/7/16 9:33:43
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AGQ200A4H 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于高效率、高频率的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。其设计优化了导通电阻和开关特性，能够在高频工作条件下保持较低的功耗和较高的效率。
该器件具有出色的热性能和电气性能，适合在严苛的工作环境下使用。通过减小封装尺寸并提高散热能力，AGQ200A4H 在功率密度和系统可靠性方面表现优异。
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：650V
额定电流：200A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：200nC
最大工作温度：175°C
封装形式：TO-247
AGQ200A4H 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（1.8mΩ），有效降低导通损耗，提升整体效率。
3. 出色的开关性能，栅极电荷低至 200nC，能够实现高频开关操作。
4. 高温适应性，支持最高结温 175°C，确保在极端条件下的稳定运行。
5. 强大的过流能力和短路耐受能力，提升了系统的可靠性和安全性。
6. 使用 TO-247 封装，具备良好的散热特性和机械稳定性。
AGQ200A4H 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中用于高效能量转换。
3. 电机驱动电路中作为功率开关元件。
4. 新能源汽车及工业控制领域的逆变器和变频器。
5. 大功率 LED 驱动电源以及其他需要大电流、高电压切换的应用场景。
BSC200N06LS G,
IXFN200N06T2,
FDP200N06S,
IRF200N06L
