容量：4GB
　　类型：DRAM
　　封装类型：BGA
　　电压：1.5V / 1.35V（LPDDR3标准）
　　数据速率：1600Mbps
　　工作温度范围：0°C 至 85°C
　　封装尺寸：144-ball FBGA
　　接口类型：并行接口
　　时钟频率：800MHz
　　存储架构：x32
　　刷新周期：64ms

H9TKNNN4GDARUR-NGH 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，专为移动设备和高性能计算系统设计。其主要特性之一是支持低电压操作，能够在1.5V和1.35V下运行，符合LPDDR3的低功耗设计标准。这种特性使得它在移动设备中特别受欢迎，有助于延长电池寿命。
　　该芯片具有高达1600Mbps的数据速率和800MHz的时钟频率，能够提供高速数据访问和处理能力，满足高带宽需求的应用场景，如图形处理、视频编码解码以及高速缓存。此外，其32位总线宽度（x32）进一步增强了数据吞吐能力。
　　H9TKNNN4GDARUR-NGH采用144-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装技术，具有较高的封装密度和良好的散热性能，适用于空间受限的设备。同时，其工作温度范围为0°C至85°C，适应性广泛，适合各种工业和商业环境下的应用。
　　该DRAM芯片还支持自动刷新（Auto Refresh）功能，刷新周期为64ms，确保数据在断电时也能保持稳定。这一特性对于需要长时间运行的设备来说尤为重要，如服务器、嵌入式系统和工业控制系统。

H9TKNNN4GDARUR-NGH 适用于多种高性能和低功耗要求的应用场景。其中，最常见的应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备，这些设备对内存性能和功耗有较高要求。此外，该芯片也广泛应用于嵌入式系统、网络设备（如路由器和交换机）、工业计算机以及消费类电子产品中。
　　由于其高带宽和低功耗的特性，H9TKNNN4GDARUR-NGH 特别适用于需要实时数据处理和图形渲染的场合，例如游戏主机、高清视频播放设备和增强现实（AR）设备。在服务器和数据中心应用中，该芯片也可作为高速缓存或辅助内存，提升整体系统性能。
　　此外，H9TKNNN4GDARUR-NGH 还可用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）等，提供高效能的内存支持。

H9TKNNN4GDARUR-N20, H9TPNNL8GDACUR-NGH, H9TNNN88GDMMRUR-N20