AG9712-2BR 时间：2025/5/21 11:26:08 阅读：4

AG9712-2BR是一款高性能的功率MOSFET器件，采用TO-252封装形式。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。其出色的开关特性和低导通电阻使其成为高效能功率管理应用的理想选择。
　　这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态。AG9712-2BR的设计优化了电气性能和热性能，适合在高频率、高效率的应用场景中使用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：43A
　　导通电阻：4.5mΩ
　　栅极电荷：89nC
　　开关时间：ton=17ns, toff=13ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

AG9712-2BR具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得其导通损耗显著降低，在大电流应用中表现出色。
　　该器件支持快速开关操作，能够有效减少开关损耗，从而提高整体系统的效率。
　　它还具备较高的雪崩耐量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
　　另外，AG9712-2BR的封装形式有助于提升散热性能，确保在高温环境下也能稳定运行。
　　由于其出色的电气特性和可靠性，这款MOSFET非常适合用于需要高效功率转换的工业及消费类电子设备。

应用

AG9712-2BR广泛应用于各种电力电子领域，例如：
　　1. 开关模式电源(SMPS)，包括AC-DC适配器和充电器。
　　2. 各种类型的DC-DC转换器，如降压、升压和反激式拓扑结构。
　　3. 电机驱动电路，特别是无刷直流电机(BLDC)控制系统。
　　4. 负载开关和保护电路，用于实现过流保护或短路保护功能。
　　5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子系统中的电池管理单元和电源分配网络。