HV1812Y471JXMARHV 是一款高压 MOSFET 芯片,专为高效率功率转换和开关应用设计。该芯片采用先进的半导体工艺制造,具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度等特性。它适用于各种电源管理场景,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、LED 驱动以及电池管理系统等。
类型:MOSFET
封装:TO-263
最大漏源电压(Vds):800V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.5Ω
总功耗:125W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
HV1812Y471JXMARHV 提供卓越的性能和可靠性。
1. 采用先进沟槽式结构,显著降低导通电阻,从而减少功率损耗并提高系统效率。
2. 具备高耐压能力,能够在高达 800V 的电压环境下稳定运行,适合高压应用场合。
3. 快速开关特性,有效减少开关损耗,尤其在高频应用中表现优异。
4. 内置多重保护机制,包括过温保护和短路保护,确保器件及系统的安全性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 稳定的工作温度范围使其适应各种恶劣环境下的应用需求。
HV1812Y471JXMARHV 广泛应用于多种电力电子领域。
1. 开关电源 (SMPS),用于高效能量转换。
2. DC-DC 转换器,实现不同电压等级间的平稳切换。
3. 电机驱动电路,提供精确的电流控制。
4. LED 驱动器,确保恒定电流输出以维持光照一致性。
5. 电池管理系统 (BMS),负责充电放电过程中的关键开关功能。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
7. 太阳能逆变器和储能系统中的核心组件。
HV1812Y471KXMARHV, IRFP260N, STP12NK60Z