AG402-89G 时间：2025/8/16 9:38:35 阅读：19

AG402-89G是一款由Ampleon公司生产的射频功率晶体管（RF Power Transistor），采用LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，专为高功率射频放大应用设计。该器件适用于广播、工业加热、射频测试设备以及其他需要高效率和高可靠性的射频系统。AG402-89G工作频率范围较宽，能够在多种射频频段内提供稳定输出，是一款高性能的射频功率放大器解决方案。

参数

类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率：最高可达1GHz
　　输出功率：典型值250W（连续波）
　　漏极电压：最大50V
　　输入阻抗：典型50Ω
　　增益：典型20dB
　　效率：典型65%
　　封装形式：陶瓷金属封装（Ceramic/Metal）
　　热阻：典型值0.35°C/W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

AG402-89G具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率射频放大场合。首先，该器件采用了LDMOS技术，具备较高的线性度和效率，能够在较宽的频率范围内保持稳定的输出功率。其典型的输出功率为250W，适用于连续波（CW）和脉冲操作模式。此外，AG402-89G的输入阻抗设计为50Ω，便于与大多数射频系统匹配，降低了外部匹配电路的复杂性。
　　该晶体管的增益约为20dB，在不使用多级放大结构的情况下即可实现较高的输出功率，有助于简化系统设计并降低成本。其效率可达65%，有效降低了功耗和发热，提高了系统的整体能效。
　　

应用

AG402-89G广泛应用于需要高功率射频放大的系统中，例如广播发射机（如FM和TV广播）、工业加热设备、射频测试仪器、医疗射频设备以及无线通信基础设施。由于其高输出功率、高效率和宽频特性，AG402-89G非常适合用于需要高稳定性和高线性度的射频放大电路。此外，该器件也常用于科研实验、电磁兼容性测试（EMC Testing）和射频能量应用等领域。