时间：2025/6/19 15:03:14
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AFGB40T65SQDN是一款基于硅碳化物技术的MOSFET器件，专为高频开关应用而设计。它采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于工业电源、太阳能逆变器以及电机驱动等应用领域。
其出色的热性能和电气特性使其成为现代电力电子系统中的理想选择，能够显著提高系统的效率并降低能量损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：40A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：90nC
总电容：2300pF
功耗：80W
工作温度范围：-55℃~175℃
AFGB40T65SQDN具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗。
2. 高效的开关性能，支持高频操作。
3. 硅碳化物材料的应用提升了整体耐热性和稳定性。
4. 良好的短路承受能力，确保在异常情况下提供额外保护。
5. 优化的寄生参数，使得动态性能更加优越。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计。
该器件广泛应用于各种电力转换场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 太阳能光伏逆变器
3. 工业电机驱动控制
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 不间断电源（UPS）系统
6. PFC（功率因数校正）电路
其高可靠性和高效性使其成为上述领域的优选解决方案。
AFGB50T65SQDN
FGH40T65SMD
CRF40T65QD
