7490100110 时间：2025/8/24 5:36:50 阅读：2

7490100110 是一款由 NXP Semiconductors 生产的射频功率晶体管（RF Power Transistor），主要用于射频放大器应用，尤其是在广播和通信系统中。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高效率、高增益和良好的热稳定性。7490100110工作频率范围广泛，适用于UHF（超高频）和VHF（甚高频）波段，能够提供高功率输出，适用于基站、广播发射器和其他高功率射频系统。

参数

类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：N沟道LDMOS
　　封装类型：TO-247
　　最大漏极电流（ID(max)）：30 A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：65 V
　　最大栅极电压（VGS(max)）：±30 V
　　最大工作频率：1 GHz
　　输出功率（典型值）：125 W（在UHF频段）
　　增益（典型值）：27 dB
　　效率（典型值）：65%
　　热阻（Rth(j-c)）：0.35°C/W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

7490100110 射频功率晶体管采用先进的LDMOS工艺制造，具备出色的性能和可靠性。其高输出功率能力使其适用于UHF和VHF频段的高功率放大器应用。该器件具有较高的增益（典型值27 dB），能够在较低的驱动功率下实现高效的功率放大。
　　此外，7490100110具有优异的热管理能力，热阻仅为0.35°C/W，确保在高功率工作条件下仍能保持稳定的温度性能。其高效率（典型值65%）有助于降低功耗和热量生成，提高系统的整体能效。
　　该晶体管还具备良好的线性度和稳定性，适用于需要高保真信号放大的广播和通信设备。其宽泛的工作温度范围（-65°C至+150°C）使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。
　　7490100110采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于高功率应用的散热需求。

应用

7490100110 射频功率晶体管广泛应用于各种射频系统，尤其是在广播和通信基础设施中。它适用于UHF和VHF频段的高功率放大器，如调频广播（FM）、电视广播（TV）、无线通信基站、短波广播发射器等。
　　该器件还可用于工业和医疗射频设备中的功率放大模块，如射频加热、等离子体发生器和射频测试设备。由于其高可靠性和高效率，7490100110也常用于军用和航空航天领域的通信系统。
　　此外，该晶体管适用于需要高功率输出和高稳定性的射频放大电路，如发射机功率放大器、宽带射频放大器和射频能量应用系统。