时间：2025/12/26 9:47:48
阅读：18
AF4953PSLA是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的高性能、双通道、N沟道场效应晶体管（MOSFET）阵列，采用先进的Trench MOSFET技术制造。该器件专为需要高效率和高功率密度的应用而设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等场景。AF4953PSLA集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET都具备低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。
该芯片封装在小型化的PowerSO8或DFN5x6等封装中，具有优良的散热性能，适合在空间受限但对热管理要求较高的应用环境中使用。器件支持宽工作电压范围，并具备出色的瞬态响应能力，可在高温环境下稳定运行。此外，AF4953PSLA还内置了栅极保护二极管和ESD保护结构，增强了器件在实际应用中的可靠性和抗干扰能力，适用于工业控制、通信设备、消费类电子产品及便携式电源系统等领域。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：16A（单通道）
脉冲漏极电流(IDM)：64A
导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ（@ VGS=10V）
导通电阻(RDS(on))：11mΩ（@ VGS=4.5V）
阈值电压(VGS(th))：1.2V ~ 2.3V
输入电容(Ciss)：1070pF（@ VDS=15V）
输出电容(Coss)：340pF（@ VDS=15V）
反向传输电容(Crss)：70pF（@ VDS=15V）
开启延迟时间(Td(on))：12ns
上升时间(Tr)：38ns
关断延迟时间(Td(off))：32ns
下降时间(Tf)：22ns
工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
封装形式：PowerSO-8 / DFN5x6
AF4953PSLA采用AOS专有的先进Trench MOSFET工艺制造，这种工艺通过优化沟道结构和掺杂分布，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，从而实现了更低的RDS(on)和更快的开关速度。其典型导通电阻仅为8.5mΩ（在VGS=10V条件下），即使在低栅压4.5V时也能保持11mΩ的优异表现，确保在轻载和满载条件下均有出色的能效。该器件的低Qg（总栅极电荷）特性进一步减少了驱动损耗，使其非常适合高频开关应用如同步整流和多相降压变换器。
双通道设计允许用户灵活配置为独立开关、半桥拓扑或并联使用以提高电流承载能力。每个MOSFET均经过严格筛选，具有高度一致的电气参数，保证了并联工作的均流性能。内部结构集成了齐纳二极管用于栅极保护，防止因过高的VGS电压导致栅氧层击穿，提升了器件在恶劣工况下的可靠性。同时，器件具备良好的热耦合特性，在DFN封装下可通过底部裸露焊盘高效散热，极大延长了使用寿命。
AF4953PSLA符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2 ESD测试，人体模型(HBM)耐受电压达±2000V，机器模型(MM)达±200V，显示其强大的抗静电能力。此外，该器件还具备较低的反向恢复电荷(Qrr)，有助于减少体二极管反向恢复过程中的能量损耗和电压尖峰，特别适用于存在感性负载切换的场合，例如H桥电机驱动和继电器替代电路。综合来看，AF4953PSLA是一款兼具高性能、高集成度与高可靠性的功率MOSFET解决方案。
AF4953PSLA广泛应用于多种中等功率级别的电子系统中。在电源管理领域，常用于同步整流型DC-DC降压转换器，作为上下管MOSFET实现高效能量转换，尤其适用于服务器主板、笔记本电脑和嵌入式系统的多相供电架构。由于其低导通电阻和快速开关特性，可显著降低传导和开关损耗，提升电源效率至95%以上。
在负载开关应用中，AF4953PSLA可用于控制电池供电路径或外设电源域的通断，提供软启动功能以抑制浪涌电流，保护后级电路。其集成的双通道结构也使其成为理想的选择用于双路独立电源控制或冗余电源切换系统。
在电机驱动方面，该器件适用于小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路，能够实现正反转和制动控制。得益于其良好的热稳定性和抗冲击能力，AF4953PSLA也可用于工业自动化设备中的电磁阀驱动、继电器替代以及LED调光控制电路。
此外，该芯片还常见于USB PD充电器、移动电源、智能电表、网络通信模块等对尺寸和效率有严苛要求的产品中，是现代高密度电源设计中的关键元件之一。
AON6260,AOZ5205N
