AER04220HN1UM 时间：2025/7/1 12:47:37 阅读：9

AER04220HN1UM 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，主要应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。
　　其封装形式为 UM 封装，这种封装方式能够有效提升散热性能和电气特性，非常适合高频开关应用和紧凑型设计。

参数

型号：AER04220HN1UM
　　类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：42V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ
　　总功耗(Ptot)：12W
　　工作温度范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：UM

特性

AER04220HN1UM 具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低功率损耗，提高效率。
　　2. 高速开关性能，适用于高频应用环境。
　　3. 强大的电流承载能力，支持高达 20A 的漏极电流。
　　4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
　　5. 采用 UM 封装，具有出色的散热能力和电气连接性。
　　6. 内置保护机制，可增强器件在异常工作条件下的鲁棒性。

应用

AER04220HN1UM 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
　　4. 工业自动化设备中的功率调节和控制。
　　5. 汽车电子系统中的电控单元 (ECU) 和辅助电源模块。
　　6. LED 照明驱动器中的功率控制组件。