ADT1-1WT 时间：2025/12/28 11:43:10 阅读：14

ADT1-1WT是一款由Analog Devices Inc.（亚德诺半导体）生产的射频变压器（RF Transformer），属于其广泛应用于通信和信号处理领域的无源器件产品线。该器件采用紧凑型表面贴装设计，适用于需要宽带性能和高可靠性的射频应用场合。ADT1-1WT能够在较宽的频率范围内提供良好的阻抗匹配和信号平衡转换功能，是许多高频电路中实现单端与差分信号之间转换的关键元件。其结构基于磁芯绕组技术，具有出色的温度稳定性和长期可靠性，适合在工业级环境条件下运行。该器件常用于无线基础设施、有线电视设备、测试仪器以及宽带通信系统中，作为前端或中间频率段的信号耦合和变换组件。封装形式为小型化设计，便于在高密度PCB布局中使用，并具备良好的焊接可靠性和自动化生产兼容性。

参数

器件类型：射频变压器
　　封装类型：SMT
　　安装方式：表面贴装
　　工作频率范围：0.1MHz 至 1GHz
　　初级阻抗：50Ω
　　次级阻抗：50Ω
　　匝数比：1:1
　　最大输入功率：+30dBm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　引脚数：6
　　尺寸：6.2mm x 5.0mm x 3.5mm
　　电感量典型值：约50nH
　　插入损耗：典型值 <1.5dB @ 500MHz
　　回波损耗：>15dB @ 100MHz - 500MHz
　　相位不平衡度：<5°
　　幅度不平衡度：<0.5dB

特性

ADT1-1WT射频变压器在高频信号处理方面表现出色，具备优异的宽带响应能力，可在从低频100kHz到高达1GHz的频率范围内稳定工作。这种宽频带特性使其非常适合用于多频段通信系统和宽带放大器设计中，作为单端转差分或差分转单端的接口元件。其1:1的匝数比设计确保了输入输出之间的阻抗匹配保持一致，通常用于50Ω系统的信号隔离与耦合。该器件采用高磁导率磁芯材料和精密绕线工艺制造，保证了在宽温度范围内的一致电气性能，减少了因温漂引起的信号失真问题。
　　该器件具有较低的插入损耗和良好的回波损耗表现，在典型应用条件下，插入损耗低于1.5dB（@500MHz），回波损耗优于15dB（在100MHz至500MHz区间），这有助于最大限度地减少信号反射并提高系统整体效率。此外，ADT1-1WT具备优秀的幅度与相位平衡特性，幅度不平衡小于0.5dB，相位不平衡小于5°，这对于要求高线性度和低失真的差分电路应用至关重要，如驱动高速ADC或高性能混频器时可有效抑制偶次谐波。
　　ADT1-1WT采用6引脚表面贴装封装，外形小巧（6.2mm x 5.0mm x 3.5mm），适合高密度PCB布局，同时支持自动化贴片生产工艺，提升了批量生产的效率和一致性。器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于工业、商业及部分军用等级的应用场景。其最大输入功率可达+30dBm（约1W），能够承受较高的射频功率水平，适合用作功率分配器、巴伦（Balun）或阻抗变换器等用途。整体设计兼顾了高频性能、机械强度和热稳定性，使其成为现代射频模块中的理想选择。

应用

ADT1-1WT广泛应用于各类射频和微波电路中，尤其适用于需要将单端信号转换为差分信号或反之的场景。常见应用包括无线基站前端模块、软件定义无线电（SDR）、宽带接收机、发射机输出匹配网络、CATV分配系统、测试与测量设备中的信号调理电路等。它也常被用于驱动高速模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的差分输入/输出级，以提升动态范围和抗干扰能力。此外，在混频器接口、低噪声放大器（LNA）输出匹配、以及平衡放大器结构中也有广泛应用。由于其良好的高频特性和稳定性，ADT1-1WT同样适用于雷达系统、卫星通信终端和工业监控设备中的信号传输环节。