DTA114ECA是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用TO-252封装形式。该器件专为高效率、低功耗应用设计,广泛适用于各类开关电源、电机驱动和负载切换等场景。其主要特点包括较低的导通电阻和较高的开关速度,有助于减少系统中的能量损耗并提升整体性能。
DTA114ECA支持N沟道增强型操作,通过栅极电压控制漏极电流的流通与切断。由于具备良好的热稳定性和可靠性,这款器件能够适应较为苛刻的工作环境。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
最大漏极电流:30A
导通电阻:8mΩ
总功耗:1.7W
工作温度范围:-55℃至175℃
DTA114ECA具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,从而提高效率。
2. 高速开关能力,适合高频工作条件。
3. 强大的雪崩能力,增强了器件在异常情况下的耐受性。
4. 优异的热稳定性,确保长期可靠运行。
5. 小巧的TO-252封装节省了电路板空间,同时提供了良好的散热性能。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的法规要求。
DTA114ECA可应用于多种领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 负载切换和保护电路
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的功率管理模块
由于其高效能表现及宽泛的应用范围,DTA114ECA成为许多工程师在设计高要求功率系统的首选器件。
IRFZ44N
FDP5500
STP30NF06L