型号：AD524SD/883B
　　制造商：Analog Devices
　　封装类型：CDIP20
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　电源电压：±4.5V 至 ±18V（双电源）
　　增益选项：1, 10, 100, 1000（通过引脚编程）
　　增益误差：典型值0.05%（G=100）
　　共模抑制比（CMRR）：最小100dB（G≥10），典型值可达120dB
　　输入失调电压：最大25μV（初始值），温漂≤0.5μV/°C
　　输入偏置电流：典型值30pA
　　带宽（-3dB）：G=1时为1.5MHz，G=1000时为1.5kHz
　　转换速率（Slew Rate）：典型值1.2V/μs
　　噪声电压（1/f）：典型值1.2μVpp（0.1Hz～10Hz）
　　电源电流：典型值6mA
　　输出电压摆幅：接近轨到轨（负载≥2kΩ）
　　线性相位误差：≤0.015°（f=1kHz）
　　长期稳定性：≤2μV/月
　　符合标准：MIL-STD-883B 认证
　　隔离电压：≥7500Vrms（取决于封装工艺）

AD524SD/883B的核心特性在于其卓越的精度与可靠性，适用于极端环境下的精密测量任务。
　　首先，该器件采用了激光修整的薄膜电阻网络，确保内部反馈和增益设置电阻具有极高的匹配度和温度稳定性，从而实现了极低的增益误差和出色的长期稳定性。这种设计使得即使在温度剧烈变化或长时间运行的情况下，系统增益仍能保持高度一致，避免因元件漂移导致的测量偏差。
　　其次，AD524SD/883B具备高达120dB的共模抑制比（CMRR），尤其是在增益大于等于10时，能够有效抑制来自传感器接口或长距离传输线路中的共模干扰信号，如工频噪声、电磁耦合等，显著提升信噪比和测量准确性。这对于在强电磁干扰环境中工作的航空电子系统或工业控制系统至关重要。
　　再者，其输入级采用超β晶体管工艺，输入偏置电流低至30pA典型值，极大地减少了高源阻抗信号路径中的电压降误差，使其非常适合与热电偶、应变桥、光电探测器等高阻抗传感器配合使用。
　　另外，AD524SD/883B集成了可编程增益功能，无需外接精密电阻即可通过跳线选择四种标准增益值，简化了电路布局并降低了对PCB空间的需求，同时避免了因外部电阻不匹配带来的额外误差。
　　更重要的是，该器件通过了MIL-STD-883B军用标准认证，涵盖温度循环、机械冲击、湿气 resistance、寿命加速测试等多项严苛考核，确保在-55°C至+125°C全温范围内稳定运行，且具备良好的抗辐射性能，适合部署于卫星、导弹制导系统、深空探测器等关键任务平台。
　　最后，其密封陶瓷封装不仅提供了优异的热导性和机械强度，还能防止湿气和污染物侵入，延长器件使用寿命。综合这些特点，AD524SD/883B成为高可靠性模拟信号链中不可或缺的关键组件。

AD524SD/883B主要应用于对性能和可靠性要求极为严苛的高端领域。
　　在航空航天与国防系统中，它被广泛用于飞行控制系统、惯性导航传感器信号调理、雷达接收前端、导弹制导模块以及机载数据采集系统。由于其具备高CMRR和低噪声特性，能够从微弱的传感器信号中提取有用信息，同时抑制发动机振动、射频干扰等复杂环境噪声，保障飞行安全与作战效能。
　　在精密测试与测量仪器方面，AD524SD/883B常用于高精度数字万用表、示波器前置放大器、校准设备和自动化测试设备（ATE）。其极低的失调电压和温漂特性确保测量结果的高度重复性和可追溯性，满足计量级标准要求。
　　在工业过程控制领域，该芯片可用于压力、温度、流量等变送器的信号放大环节，特别是在高温井下作业、核电站监测等危险环境中，其军规级封装和宽温工作能力保证了系统的持续可靠运行。
　　此外，在医疗成像设备如MRI前置放大器或脑电图（EEG）信号采集系统中，AD524SD/883B也能发挥其低噪声、低失真的优势，提高生物电信号的分辨率。
　　科研实验装置，尤其是涉及粒子探测、低温物理测量或引力波探测等前沿科学项目，也依赖此类高稳定性放大器来处理极其微弱的物理信号。总之，凡是对信号完整性、环境适应性和长期稳定性有极高要求的应用场景，AD524SD/883B都是理想的选择。

AD524JH
　　AD524KH
　　AD624AN
　　INA128P
　　LT1167ACN8