时间：2025/5/13 8:56:44
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JSM75N06C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。其设计特点包括低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合中高功率应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：75A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：38nC（典型值）
总电容：1380pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关速度，可支持高频操作，适应现代电子设备需求。
3. 高电流承载能力，适用于大功率应用场景。
4. 具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持性能。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
3. 逆变器和UPS系统中的功率级组件。
4. 各类工业控制设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的负载切换元件。
IRFZ44N
STP75NF06
FDP75N06S
