您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > JSM75N06C

JSM75N06C 发布时间 时间:2025/5/13 8:56:44 查看 阅读:21

JSM75N06C是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率转换的场景。其设计特点包括低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提高系统效率。
  这款MOSFET采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,适合中高功率应用场合。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:75A
  导通电阻:4.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:38nC(典型值)
  总电容:1380pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 超低导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关速度,可支持高频操作,适应现代电子设备需求。
  3. 高电流承载能力,适用于大功率应用场景。
  4. 具备出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 直流电机驱动电路中的功率开关。
  3. 逆变器和UPS系统中的功率级组件。
  4. 各类工业控制设备中的功率转换模块。
  5. 汽车电子系统中的负载切换元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06
  FDP75N06S

JSM75N06C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价