电容值：200pF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　介质材料：C0G/NP0
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0ppm/°C
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%

D2TO035CR2000KRE3 电容器采用了先进的陶瓷介质技术，具有极高的稳定性和可靠性。其采用的C0G/NP0介质材料确保了在不同温度条件下电容值的变化非常小，因此非常适合用于高精度和高稳定性的电路中。该电容器的低ESR和ESL特性使其在高频应用中表现优异，可以有效减少信号损耗和噪声。
　　此外，D2TO035CR2000KRE3的封装尺寸为0402（1.0mm x 0.5mm），体积小巧，适合用于高密度PCB布局设计。该器件符合RoHS标准，无铅且环保，适合现代电子制造的需求。其优异的热稳定性确保在极端工作条件下仍能保持稳定的性能，广泛应用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统中。

D2TO035CR2000KRE3 多层陶瓷电容器主要用于需要高精度和高稳定性的电子电路中。它常见于射频（RF）模块、滤波器、振荡器以及各种高精度模拟和数字电路中。由于其优异的温度稳定性和低损耗特性，该电容器也广泛应用于通信设备中的信号处理电路，例如基站、无线接入点和卫星通信系统。
　　在消费电子领域，D2TO035CR2000KRE3 适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路和信号调节电路。工业控制系统和汽车电子设备也经常使用这款电容器，以确保在高温和其他恶劣环境条件下依然能够保持稳定运行。

D2TO035CR2000KRE3 可以被以下型号替代：Murata 的 GRM0225C1H201JA01D、Samsung Electro-Mechanics 的 CL05A200JB5NNNC 和 Kemet 的 C0402C200J5GACTU。这些型号在电容值、额定电压和封装尺寸方面与 D2TO035CR2000KRE3 类似，并且也具备良好的温度稳定性和低损耗特性，适合用于相同的应用场景。