A6H-8101 时间：2025/7/18 11:45:31 阅读：3

A6H-8101是一款由东芝（Toshiba）设计制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。这款器件设计用于在高频率下工作，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效减少能量损耗并提高系统效率。A6H-8101采用先进的封装技术，确保了良好的热管理和可靠性，适用于各种高要求的工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：80A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.9mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约190nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

A6H-8101具有多项优异的电气和机械特性，使其成为高性能功率转换应用的理想选择。首先，其低导通电阻有助于降低导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备较高的电流处理能力，能够在高温环境下稳定工作。快速的开关特性使其适用于高频操作，从而减少外部元件的尺寸和成本。A6H-8101还具备良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持较低的温升，确保长期运行的可靠性。
　　在封装方面，A6H-8101采用了TO-247封装形式，这种封装结构提供了良好的散热性能，并且易于安装在散热器上，从而进一步提升器件的热管理能力。这种封装形式广泛应用于各种高功率应用中，确保了A6H-8101在严苛工作环境下的稳定性和耐用性。
　　从应用角度来看，A6H-8101适用于多种电力电子系统，如DC-DC转换器、AC-DC电源、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关。其优异的性能指标使其成为设计工程师在高功率密度和高效率应用中的首选器件。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。