MT18B104M250CT 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片属于低电压系列,工作电压为 1.35V,适用于对功耗敏感的应用场景。其容量为 4Gb(512MB),采用 25nm 工艺制造,能够提供较高的数据传输速率和较低的功耗。
该芯片支持 DDR3L 标准的数据速率范围,最高可达 1600Mbps,并通过优化设计来降低延迟和提高系统性能。其封装形式通常为 FBGA(细间距球栅阵列),具有良好的电气特性和散热性能。
类型:DDR3L SDRAM
容量:4Gb (512MB)
位宽:x8/x16
速度:1600Mbps
工作电压:1.35V
封装:FBGA
引脚数:96
工艺:25nm
工作温度:-40°C 至 +85°C
数据宽度:x8, x16
刷新模式:自刷新、自动刷新
MT18B104M250CT 提供了多种功能特性以满足现代计算需求。首先,它支持 DDR3L 的低功耗模式,在休眠或待机状态下可以显著减少能量消耗。
其次,该芯片具备快速的读写能力,可实现高达 1600Mbps 的数据传输速率,这使得它非常适合应用于笔记本电脑、平板电脑以及其他移动设备。
此外,其采用的 25nm 制造工艺不仅提高了集成度,还进一步降低了功耗。同时,该芯片支持多种刷新模式,包括自刷新和自动刷新,确保在不同使用条件下都能保持数据完整性。
最后,其工作温度范围较广,从 -40°C 至 +85°C,适应各种环境条件下的应用需求。
MT18B104M250CT 主要用于对功耗和性能要求较高的设备中,例如:
1. 笔记本电脑和超极本,这些设备需要在有限的电池容量下运行高性能内存。
2. 平板电脑和其他移动设备,这些设备需要兼顾性能和续航时间。
3. 嵌入式系统,如工业控制、网络设备和医疗设备,这些领域通常需要高可靠性和低功耗的内存解决方案。
4. 消费类电子产品,如智能电视和游戏机,这些产品需要高效的图形处理和数据传输能力。
MT18B1G8M850CT, MT18B1G8M850FT, MT18B1G4M850CT