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MT18B104M250CT 发布时间 时间:2025/7/4 2:23:59 查看 阅读:5

MT18B104M250CT 是一款由 Micron Technology(美光科技)生产的 DDR3L SDRAM 芯片。该芯片属于低电压系列,工作电压为 1.35V,适用于对功耗敏感的应用场景。其容量为 4Gb(512MB),采用 25nm 工艺制造,能够提供较高的数据传输速率和较低的功耗。
  该芯片支持 DDR3L 标准的数据速率范围,最高可达 1600Mbps,并通过优化设计来降低延迟和提高系统性能。其封装形式通常为 FBGA(细间距球栅阵列),具有良好的电气特性和散热性能。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:4Gb (512MB)
  位宽:x8/x16
  速度:1600Mbps
  工作电压:1.35V
  封装:FBGA
  引脚数:96
  工艺:25nm
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:x8, x16
  刷新模式:自刷新、自动刷新

特性

MT18B104M250CT 提供了多种功能特性以满足现代计算需求。首先,它支持 DDR3L 的低功耗模式,在休眠或待机状态下可以显著减少能量消耗。
  其次,该芯片具备快速的读写能力,可实现高达 1600Mbps 的数据传输速率,这使得它非常适合应用于笔记本电脑、平板电脑以及其他移动设备。
  此外,其采用的 25nm 制造工艺不仅提高了集成度,还进一步降低了功耗。同时,该芯片支持多种刷新模式,包括自刷新和自动刷新,确保在不同使用条件下都能保持数据完整性。
  最后,其工作温度范围较广,从 -40°C 至 +85°C,适应各种环境条件下的应用需求。

应用

MT18B104M250CT 主要用于对功耗和性能要求较高的设备中,例如:
  1. 笔记本电脑和超极本,这些设备需要在有限的电池容量下运行高性能内存。
  2. 平板电脑和其他移动设备,这些设备需要兼顾性能和续航时间。
  3. 嵌入式系统,如工业控制、网络设备和医疗设备,这些领域通常需要高可靠性和低功耗的内存解决方案。
  4. 消费类电子产品,如智能电视和游戏机,这些产品需要高效的图形处理和数据传输能力。

替代型号

MT18B1G8M850CT, MT18B1G8M850FT, MT18B1G4M850CT

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MT18B104M250CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.08310卷带(TR)
  • 系列MT
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.1 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-