时间：2025/7/8 23:59:55
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A60Z3R3BT200T是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能量转换和低损耗的场景。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下保持高效率。此外，它具有坚固耐用的设计，适合在严苛的工作环境中使用。
最大漏源电压：60V
持续漏极电流：200A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：150nC
开关时间：开启时间10ns，关断时间25ns
结温范围：-55℃至175℃
A60Z3R3BT200T采用了沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了功率损耗。
该器件具备较低的栅极电荷和输出电容，使其能够实现快速的开关速度，适用于高频应用。
其大电流处理能力结合低热阻设计，确保了在高负载条件下的稳定性和可靠性。
此外，该器件还拥有优良的抗雪崩能力和ESD防护性能，提高了整体系统的鲁棒性。
该芯片广泛应用于工业和消费电子领域，典型应用包括但不限于：
开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块。
电动车及混合动力汽车的电池管理系统和驱动控制器。
A60Z3R3BT150T
A60Z3R3BT250T
IRFB4410
FDP18N60
