时间：2025/8/21 11:07:36
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A3V64S40ETP-G6 是富士通（Fujitsu）生产的一款高性能静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM芯片属于异步SRAM类别，具有高速数据存取能力，适用于需要快速数据处理和存储的应用场景。其主要功能是作为高速缓存或临时数据存储单元，广泛用于工业控制、通信设备、计算机外设和嵌入式系统中。
类型：静态随机存取存储器（SRAM）
容量：64K x 4位
电压范围：2.3V至3.6V
最大访问时间：40ns
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：54-TSOP
接口类型：并行
读取电流（最大值）：160mA
待机电流（典型值）：10mA
A3V64S40ETP-G6 SRAM芯片具备多项高性能特性，使其在各种嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先，该芯片具有高达40ns的访问速度，能够满足对数据处理速度要求较高的应用需求。其次，其供电电压范围为2.3V至3.6V，具备较强的电压适应能力，适用于多种电源管理系统。此外，该SRAM芯片支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命。该器件采用TSOP封装，体积小巧且易于安装，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种严苛环境条件下的稳定运行。
A3V64S40ETP-G6 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于工业控制系统、通信设备、数据采集系统、嵌入式处理器系统、网络设备以及测试测量仪器。该芯片可作为高速缓存、帧缓冲器、临时数据存储器等关键组件，提供快速可靠的数据存储和访问能力。
CY62148EVLL-45ZSXI, IS61LV25616-10B4BLI, IDT71V416S10PFGI
