RF6504TR13 时间：2025/8/16 0:50:58 阅读：15

RF6504TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频（RF）功率晶体管，属于 GaN（氮化镓）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件专为高功率、高频应用设计，适用于从 1.8 GHz 到 6.0 GHz 的宽频率范围，适用于多种无线通信和工业应用。

参数

类型：GaN HEMT 功率晶体管
　　频率范围：1.8 GHz - 6.0 GHz
　　输出功率：30 W（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　输入电压：5 V（栅极）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：60% 以上（典型值）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　封装尺寸：5 mm x 7 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

特性

RF6504TR13 采用先进的 GaN 技术，具备高功率密度和卓越的热管理性能，能够在高频率下稳定工作。其高增益和高效率特性使其成为无线基础设施、蜂窝通信、Wi-Fi 6E 和其他宽带应用的理想选择。此外，该器件具有良好的线性度，支持多载波和高调制信号的应用需求，适用于 4G/5G 基站、微波通信、雷达和测试设备等应用场景。
　　该器件的封装设计优化了射频性能和热性能，便于集成到现代通信系统中。其宽频率覆盖能力减少了对多个专用器件的需求，提高了设计灵活性。此外，RF6504TR13 具备良好的抗失真能力，能够在高功率下保持信号完整性，适用于对信号质量要求较高的应用。GaN 技术的使用还带来了更高的耐用性和可靠性，适合在恶劣环境条件下运行。

应用

RF6504TR13 广泛应用于无线通信基础设施，包括 4G/5G 基站、Wi-Fi 6E 接入点、微波通信系统、雷达系统和射频测试设备。它也可用于工业和科学设备中的射频能量应用，如射频加热和等离子体生成。其高频率覆盖能力和高功率输出使其成为多频段和多标准系统的理想选择，同时满足对高效能和高可靠性的严格要求。