类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3.8A
　　漏源极电压（VDS）：1000V
　　栅源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（典型值）
　　最大工作温度：150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

IRFP4N100Q 具备多项优异的电气和热性能，能够满足高可靠性应用的需求。其高击穿电压（1000V）使其适用于高压电源转换系统，如高压直流电源、光伏逆变器和高压电机驱动器。此外，该 MOSFET 的导通电阻仅为 1.5Ω，确保在导通状态下损耗较低，提高整体系统效率。
　　该器件采用了英飞凌的 CoolMOS? 技术，提供了比传统硅基 MOSFET 更高的性能。CoolMOS? 技术显著降低了导通和开关损耗，同时提高了器件的热稳定性，从而延长了器件的使用寿命并提高了系统可靠性。
　　TO-247 封装设计有助于高效散热，适用于高功率密度设计。该封装具有良好的机械稳定性和热导性能，能够在高功率应用中保持较低的结温，从而提高整体系统的热管理能力。
　　IRFP4N100Q 还具有优异的抗雪崩能力和短路耐受能力，使其在极端工作条件下依然保持稳定运行。这些特性使其非常适合用于工业自动化、高压电源、可再生能源系统和电动车充电设备等应用。

IRFP4N100Q 主要应用于高压功率转换和控制领域。典型应用包括：
　　1. 工业电源：如高压直流电源、激光电源、高频焊接机等，利用其高耐压和低导通电阻特性实现高效能电源转换。
　　2. 电机控制：在高压电机驱动系统中作为开关元件，适用于工业自动化、电梯控制系统和电动车驱动器。
　　3. 电源转换器：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器，用于数据中心服务器电源、通信设备电源和工业电源模块。
　　4. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中用于将直流电转换为交流电，实现高效能源转换。
　　5. 不间断电源（UPS）：用于 UPS 系统中的功率开关，确保在电力中断时仍能维持稳定供电。
　　6. 电动车系统：如车载充电器、DC-DC 转换器等，利用其高压特性和高效率，提高电动车的能源利用率。

SPA10N100C3D1, STW10NK100Z, FCP10N100