时间：2025/5/10 10:58:49
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STD5NM60T4是STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。它具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效地降低功率损耗并提高系统效率。
这款MOSFET的额定击穿电压为600V，连续漏极电流可达5A（在特定条件下），并且具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于提升高频开关性能。此外，STD5NM60T4符合RoHS标准，确保其环保特性。
最大击穿电压：600V
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：5A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值，在Vgs=10V时）：1.3Ω
栅极电荷（Qg）：30nC
输入电容（Ciss）：800pF
总功耗：14W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 高击穿电压，支持高达600V的应用环境。
2. 低导通电阻，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 小型TO-220封装，便于安装和散热设计。
5. 宽工作温度范围，适应多种恶劣环境。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 逆变器和UPS系统
7. 工业控制设备
8. 消费类电子产品中的电源管理模块
STD5NM60T4L, IRFZ44N, STP5NK60Z
