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RTF015P02TL 发布时间 时间:2025/4/27 12:20:59 查看 阅读:22

RTF015P02TL 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
  该 MOSFET 的设计优化了开关性能和效率,同时具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足工业级和消费级电子设备的需求。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:85nC
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-263

特性

RTF015P02TL 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少功耗并提高效率。
  2. 较高的电流承载能力,使其适用于大功率应用环境。
  3. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
  4. 热稳定性良好,能够在高温条件下保持可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的生产要求。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管或高端开关。
  3. 电动工具、家用电器等产品中的电机驱动电路。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化控制设备中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N, FDP157N, STP16NF06L

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RTF015P02TL参数

  • 产品培训模块MOSFETs
  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C135 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds560pF @ 10V
  • 功率 - 最大800mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳3-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装TUMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称RTF015P02TLTR