RTF015P02TL 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该 MOSFET 的设计优化了开关性能和效率,同时具备良好的热稳定性和可靠性,能够满足工业级和消费级电子设备的需求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:42A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关速度:快速开关
封装形式:TO-263
RTF015P02TL 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少功耗并提高效率。
2. 较高的电流承载能力,使其适用于大功率应用环境。
3. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
4. 热稳定性良好,能够在高温条件下保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的生产要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或高端开关。
3. 电动工具、家用电器等产品中的电机驱动电路。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业自动化控制设备中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP157N, STP16NF06L