A263L 时间：2025/9/16 4:38:12 阅读：39

A263L 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）型号，常用于高频率开关应用中。这款MOSFET采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块和负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.028Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

A263L MOSFET具有优异的电气性能和可靠性，其主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度。低Rds(on)有助于减少导通损耗，提高系统效率；高电流容量和良好的热稳定性使其适用于高负载条件下的工作环境；此外，A263L的封装设计优化了散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定运行。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在极端工作条件下仍能保持稳定性能。此外，其栅极驱动电压范围较宽，可在4V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计，适用于各种电源管理和功率转换应用。

应用

A263L MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动、负载开关、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。其高效的能量转换能力和稳定的性能使其成为许多高要求电子系统中的理想选择。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备中，A263L也常用于电源管理模块以提高能效。