时间：2025/12/23 16:34:03
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TD816A-GV是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动、LED照明以及各种需要高效功率转换的电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，从而能够显著提高系统的效率并减少热量损耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和紧凑的设计，适用于空间受限的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：12nC
总电容：115pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计，有助于降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速开关速度，减少了开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的可靠性和鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的严格要求。
5. 封装形式紧凑，适合多种小型化设计需求。
6. 良好的热稳定性，能够在宽温范围内保持稳定的性能表现。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. LED驱动电路中的开关元件。
4. 各类DC-DC转换器。
5. 电池保护电路及负载开关控制。
6. 其他需要高频、高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N, FDP5570, AO3400
