GCQ1555C1H1R3CB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特点,能够有效降低系统能耗并提高整体可靠性。
该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,具备快速开关特性和良好的抗静电能力(ESD),适合在高频和大电流环境下工作。此外,其封装形式紧凑,有助于简化 PCB 布局设计。
型号:GCQ1555C1H1R3CB01D
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS):60V
最大栅源电压(V_GS):±20V
最大连续漏极电流(I_D):40A
导通电阻(R_DS(on)):1.3mΩ(典型值,在 V_GS=10V 时)
栅极电荷(Q_g):90nC
开关速度:快速开关
结温范围(T_J):-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻 R_DS(on),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
2. 高电流承载能力,支持高达 40A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性,可显著降低开关损耗,并适应高频应用场景。
4. 具备良好的热稳定性和耐用性,能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的鲁棒性,防止静电损坏。
6. 封装形式坚固耐用,便于安装和散热管理。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
6. 各类高频 DC-DC 转换器的核心功率器件。
IRF840, FDP5800, AON6960