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GCQ1555C1H1R3CB01D 发布时间 时间:2025/7/8 21:53:22 查看 阅读:21

GCQ1555C1H1R3CB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能等特点,能够有效降低系统能耗并提高整体可靠性。
  该器件为 N 沟道增强型 MOSFET,具备快速开关特性和良好的抗静电能力(ESD),适合在高频和大电流环境下工作。此外,其封装形式紧凑,有助于简化 PCB 布局设计。

参数

型号:GCQ1555C1H1R3CB01D
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(V_DS):60V
  最大栅源电压(V_GS):±20V
  最大连续漏极电流(I_D):40A
  导通电阻(R_DS(on)):1.3mΩ(典型值,在 V_GS=10V 时)
  栅极电荷(Q_g):90nC
  开关速度:快速开关
  结温范围(T_J):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻 R_DS(on),有助于减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力,支持高达 40A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  3. 快速开关特性,可显著降低开关损耗,并适应高频应用场景。
  4. 具备良好的热稳定性和耐用性,能够在宽温度范围内可靠运行。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的鲁棒性,防止静电损坏。
  6. 封装形式坚固耐用,便于安装和散热管理。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
  3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  4. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
  5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)。
  6. 各类高频 DC-DC 转换器的核心功率器件。

替代型号

IRF840, FDP5800, AON6960

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GCQ1555C1H1R3CB01D参数

  • 现有数量10,077现货
  • 价格1 : ¥1.19000剪切带(CT)10,000 : ¥0.18949卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容1.3 pF
  • 容差±0.25pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-