时间：2025/8/9 18:20:19
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FMA80N10T2 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：80A
最大功率耗散(Pd)：160W
导通电阻(Rds(on))：最大9.5mΩ（Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
FMA80N10T2 的核心优势在于其卓越的导通性能和高效率。由于其低导通电阻，该MOSFET在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统的能效。
此外，该器件具有出色的热稳定性，能够在高温度环境下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和寿命。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，使其在极端工作条件下也能保持良好的性能，适用于各种高要求的应用场景。
其TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在标准PCB布局中进行安装和焊接，简化了设计和制造过程。
FMA80N10T2 广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及工业自动化控制系统。在这些应用中，它能够高效地处理高电流和高电压，确保系统稳定运行并提高能效。
此外，由于其出色的热性能和可靠性，FMA80N10T2 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统中，满足汽车工业对电子元器件的严格要求。
在新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统中，该MOSFET也扮演着关键角色，提供高效能的功率转换与管理方案。
IRF1405, STP80NF10, FDP80N10
