A2006-TP 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛用于各类电源管理及开关电路中。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于高频率开关应用。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
封装类型:TO-252(DPAK)
漏极电流(Id):6.0A
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):32mΩ(典型值,Vgs=10V)
工作温度范围:-55°C 至 150°C
功率耗散(Pd):50W
A2006-TP 具有优异的导通性能和高效的开关特性,适用于高频率开关电源和 DC-DC 转换器。其低导通电阻(Rds(on))能够有效降低功率损耗,提高系统效率。此外,该 MOSFET 采用 TO-252 封装,具有良好的热管理能力,能够在高电流条件下稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围宽,支持 4.5V 至 20V 的栅源电压,适用于多种驱动电路设计。其内置的静电放电(ESD)保护结构增强了器件的可靠性,减少了因静电引起的损坏风险。此外,A2006-TP 在高温环境下仍能保持稳定的性能,确保系统的长期运行可靠性。
在封装方面,TO-252(DPAK)封装提供了良好的散热性能,适合表面贴装技术(SMT)工艺,提高了 PCB 设计的灵活性。该封装形式也便于焊接和维修,适用于自动化生产流程。
A2006-TP 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动电路、电池管理系统(BMS)以及各类工业控制设备。其高效率和高可靠性的特性使其成为电源管理领域的重要选择。
SI2302DS-T1-GE3, FDN340P, AO3400A