时间：2025/9/21 3:43:57
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SB10-015C-TB是一款由Semiconductor Components Industries（ONSEMI）生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，专为高速开关和低电压应用设计。该器件采用紧凑的SMA（DO-214AC）封装，适用于需要高效能与小尺寸解决方案的现代电子设备。SB10-015C-TB内部集成了两个独立的肖特基二极管，连接方式为共阴极配置，使其非常适合用于电源整流、反向电压保护、信号解调以及ESD保护等电路中。由于其低正向压降和快速恢复特性，该器件在降低功耗和提高系统效率方面表现出色。此外，SMA封装具有良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。SB10-015C-TB广泛应用于消费类电子产品、通信设备、便携式电源管理系统及工业控制电路中。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）和绿色材料认证，满足现代电子产品对环境友好性的要求。其额定工作温度范围通常为-55°C至+150°C，确保在严苛环境下仍能稳定运行。
类型：肖特基二极管阵列
配置：双二极管共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：15V
最大平均整流电流（IO）：1.0A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
最大正向电压（VF）：0.525V @ 1.0A（典型值）
最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 15V（TA=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SMA（DO-214AC）
安装类型：表面贴装（SMT）
热阻抗（RθJA）：150°C/W（典型值）
结电容（CJ）：约60pF @ 4V
SB10-015C-TB的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，而非传统PN结，从而显著降低了正向导通压降。典型的正向压降仅为0.525V，在1A电流下可大幅减少功率损耗，提升整体能效。这一特性特别适用于电池供电设备或对热管理敏感的应用场景。
该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间（trr）通常小于5纳秒，几乎无反向恢复电荷，因此在高频整流和开关电源中能够有效抑制噪声和电压尖峰，提高系统稳定性。由于没有少子存储效应，其动态响应远优于普通整流二极管。
SB10-015C-TB的共阴极双二极管结构允许在同一封装内实现两个独立功能，例如用于全波整流中的中心抽头配置，或者分别用于电源路径的防反接和信号线路的钳位保护。这种集成化设计不仅节省PCB空间，还简化了布线复杂度。
SMA封装提供优良的散热性能，配合合理的PCB布局（如增加铜箔面积），可有效将热量传导至板层，支持持续1A的平均整流电流。同时，该器件具备较高的浪涌电流承受能力，达30A短时峰值，增强了对瞬态过流事件（如上电冲击）的耐受性。
此外，SB10-015C-TB通过了多项国际可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验，确保长期使用的可靠性。其绿色环保属性也使其适用于出口型电子产品和高合规性行业标准。
SB10-015C-TB常用于各类需要高效、小型化整流与保护功能的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低输出电压（如3.3V、5V）条件下，其低VF特性可显著提高转换效率。
在便携式设备如智能手机、平板电脑和移动电源中，该器件可用于电池充电路径的防反接保护和负载切换控制，防止因电池插反而损坏主控芯片。同时，也可作为USB接口、Type-C端口的瞬态电压抑制辅助元件，结合TVS管使用以增强系统鲁棒性。
在DC-DC转换器模块中，SB10-015C-TB可充当续流二极管或自举二极管，其快速响应能力有助于减小环路损耗并改善动态负载响应。此外，在信号处理电路中，可用于高频信号检波、钳位和逻辑电平移位功能。
工业控制系统中，该器件适用于传感器信号调理电路中的噪声抑制和ESD防护，特别是在PLC输入模块或远程I/O单元中，保护敏感模拟前端免受外部干扰。
通信设备如路由器、交换机的电源管理单元也广泛采用此类肖特基二极管阵列，以实现紧凑设计与高可靠性兼顾的目标。另外，在LED照明驱动电源中，可用于初级或次级侧的辅助整流，优化整体效能。
MBR1100FCT-F085
SS14-SMC
