时间：2025/5/7 15:27:46
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FCMT190N65F-E 是一款基于碳化硅（SiC）技术的场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高频功率转换应用。其封装形式为TO-247-3，便于散热和安装。
该型号主要针对工业级和汽车级应用需求设计，能够承受高达650V的漏源电压，并具备出色的热稳定性和可靠性。
漏源电压：650V
连续漏极电流：190A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：180nC
输入电容：2500pF
功耗：100W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 采用先进的SiC材料制造，具备更高的效率和更小的体积。
2. 具有低导通电阻，减少传导损耗，提升整体系统效率。
3. 快速开关能力使得它可以应用于高频场合，降低磁性元件的尺寸和重量。
4. 高温性能优越，能够在极端条件下保持稳定运行。
5. 内置ESD保护功能，提高器件的鲁棒性。
6. 符合RoHS标准，环保且适合多种应用场景。
1. 太阳能逆变器中的DC-AC转换电路。
2. 电动车（EV）充电站的功率调节模块。
3. 工业电机驱动器和变频器。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 高效开关电源（SMPS）设计。
6. 电信基站电源中的功率因数校正（PFC）阶段。
FCMT200N65F-E, C3M0065090K, SCT2100K
