晶体管类型：NPN型双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-92
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据不同档位）

A2001H-11P具有多种特性，使其在各种电子应用中表现出色。首先，该晶体管的高频率响应使其适用于高频放大器和射频（RF）电路。其次，其较高的电流增益（hFE）范围允许在不同的电路设计中灵活使用。此外，A2001H-11P的封装形式为TO-92，这是一种常见的通孔封装，便于在多种电路板上安装和使用。
　　该晶体管的可靠性也是其重要特性之一。东芝采用了高质量的制造工艺，确保了A2001H-11P在长时间运行和恶劣环境下的稳定性。其最大工作温度为150°C，能够在较高温度下保持正常工作，适合用于工业级设备。
　　另外，A2001H-11P的低饱和电压特性使其在开关应用中表现出色，减少了能量损耗，提高了整体效率。这使其成为许多低功耗设计的理想选择。

A2001H-11P晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：音频放大器、信号放大器、开关电路、工业控制设备、消费类电子产品、电源管理系统和传感器电路。
　　在音频放大器设计中，A2001H-11P的高增益和低噪声特性使其成为前级放大器和驱动级放大器的理想选择。在开关电路中，其低饱和电压和高电流处理能力使其能够高效地控制负载的通断。
　　此外，该晶体管也常用于各种传感器电路中，用于放大微弱信号或作为开关元件。在消费类电子产品中，A2001H-11P可用于电源管理和信号处理电路，提供稳定可靠的性能。

2N3904, BC547, PN2222