您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FGH40N60SMDF

FGH40N60SMDF 发布时间 时间:2023/12/19 17:16:49 查看 阅读:255

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-247
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极击穿电压: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 349 W
封装: Tube
最大工作温度: + 150

最小工作温度: - 55

安装风格: Through Hole

FGH40N60SMDF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FGH40N60SMDF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FGH40N60SMDF参数

  • 标准包装150
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.5V @ 15V,40A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)80A
  • 功率 - 最大349W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件