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ZXM66P03N8TA 发布时间 时间:2025/5/22 1:16:04 查看 阅读:8

ZXM66P03N8TA 是一款 N 沣道晶体管(NPN),由 Infineon Technologies 生产。该器件主要用于开关和放大应用,适用于各种需要高性能和高可靠性的场景。其设计具有低饱和电压、高增益和快速开关速度的特点,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子领域。
  该晶体管采用 SOT-223 封装形式,这种封装方式不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,非常适合功率密度要求较高的应用环境。

参数

集电极-发射极电压:30V
  连续集电极电流:6A
  功耗:45W
  直流电流增益(hFE):10 to 100
  最大结温:175℃
  存储温度范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:SOT-223

特性

ZXM66P03N8TA 的主要特性包括:
  1. 高电流承载能力,能够支持高达 6A 的连续集电极电流。
  2. 具备低饱和电压特性,确保在开关模式下效率更高且发热更少。
  3. 高温适应性,允许的工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃,适合极端条件下的使用。
  4. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提高系统整体效率。
  5. 紧凑的 SOT-223 封装设计,简化了 PCB 布局并增强了散热性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。

应用

ZXM66P03N8TA 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的开关元件。
  2. 各种电机驱动器中的功率级组件。
  3. 工业自动化设备中的信号放大与控制。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  5. 家用电器和消费类电子产品中的驱动与控制模块。
  6. LED 驱动器和背光控制电路中的功率调节部件。

替代型号

ZXM66P03N8T4

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ZXM66P03N8TA参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 5.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1979pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXM66P03N8TR