时间：2025/7/30 1:36:00
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A19200LUBATN-H是一款由Alliance Memory或Alliance Semiconductor设计制造的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这种类型的存储器常用于需要高速数据访问的应用，不需要刷新电路来保持数据完整性，适合高速缓存和实时数据处理场景。该芯片的型号表明它具备特定的容量、速度和封装形式，适用于各种嵌入式系统和计算机外围设备。
容量：256Kbit
组织形式：32K x 8
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
A19200LUBATN-H SRAM芯片具备高速访问特性，其访问时间仅为55纳秒，能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。该芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高速性能的同时，有效降低功耗，适用于对功耗敏感的设计。
该SRAM的供电电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在多种电压环境下稳定工作。此外，这款芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合在空间受限的电路板设计中使用，同时具有良好的散热性能。
该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于工业自动化、通信设备、汽车电子等较为严苛的工作环境，确保在极端温度下依然稳定可靠。
A19200LUBATN-H广泛应用于需要高速存储的嵌入式系统中，例如工业控制器、网络设备、路由器、交换机、测试仪器以及汽车电子模块。由于其低功耗与高速特性，也非常适合用作微处理器或微控制器的外部高速缓存。此外，该芯片还可用于消费类电子产品，如智能家电、高端音视频设备等，确保系统在处理复杂任务时保持流畅运行。
AS7C3256A-55BCTR、CY62148EAVTA1-55B、IS62WV2568EBLL-55BLLI、EM685100T-55B
